差異化需求持續（xù）增長 華虹（hóng）半導體去年營（yíng）收創新高

日前，華虹（hóng）半導體披露（lù）了公司2019年全年業績（jì）。公告顯示，華虹半導體2019年度的營業收入為9.326億美元，同比（bǐ）增長0.2%。

報告期內，華虹半導體產品毛利率為30.3%，較上年（nián）度下降3.1個百分點，主要由於產能（néng）利用率的下（xià）降、人工費用、原材（cái）料單位成本及折舊成本的上升，部分被平均銷售（shòu）價格上升所（suǒ）抵銷。值（zhí）得提出的是（shì），2019年是其（qí）毛利率連續第（dì）五年保持在30%以上。

另外，華虹半導（dǎo）體當期淨利（lì）潤為1.550億美元，上年度為1.856億美元；母公司擁有人應占年內溢利為1.622億美元（yuán），上年度（dù）為（wéi）1.832億美元（yuán）。據悉，該公司在（zài）2019年中月（yuè）產能由174,000片增至201,000片8吋等值晶圓。

華虹半導體稱，期內（nèi）的業績變化主（zhǔ）要是源於技術的創新、技術組合的持續優化、公司產能的擴充，以及半導體市場對本（běn）公司差異化技術需求的持續增長（zhǎng），主要包括MCU、超級結、通用MOSFET和IGBT等產品（pǐn）。

該公司在財報（bào）中還提到，差異化特色工藝（yì）將依然（rán）是（shì）其2020年的關鍵詞。

8吋工藝平台方麵，華虹半導體將進一（yī）步（bù）優化現有95納米和90納米等嵌入式非易失性存儲器技術，提供更小（xiǎo）的存儲器單元（yuán）、IP模塊與更（gèng）精簡的工藝（yì），全方位應對來自MCU市場（chǎng）的多重需求；持續開發第四代超級結技術（shù），並（bìng）針對高質量、車用IGBT導入氫注入工藝、研發逆導型IGBT(RC-IGBT)、SJ-IGBT等新（xīn）一代功率分立器件技術（shù）。

華虹半（bàn）導體指出（chū），公（gōng）司除了追求（qiú）高壓功率器件所需的（de）更高功率密度和更低損耗，還將更精益求精地開發（fā）片上集成（chéng）傳感器的智能化IGBT工藝技術與更高可靠性的新（xīn）型散熱IGBT技（jì）術；加大力（lì）度提高0.18微米BCD第三代工（gōng）藝參數性（xìng）能達（dá）到業界先進水平並滿足汽車電子要求，整合0.11微米嵌入式閃存與BCD技術，達到車規級應用要求，全麵迎接混動車、電動車市場對半導體器件（jiàn）的成長性需求；推動RF-SOI第（dì）四代工藝向更高可靠性與持續量產方向發（fā）展，為5G等新（xīn）興市場提供新生的中國力（lì）量。

另外麵對業界當前（qián）重（chóng）點關注（zhù）的疫情影響，華虹半導體也對此表示：“由於近期新冠疫情的不確定影響，市場預測仍存在著諸多未知性（xìng）。但非常（cháng）肯定的是，隨著中國（guó）本土IC設計（jì）公司的逐步成熟，國家政策的持續支持，創新創業型企業快速增加，國內晶圓代工業必將長期處於有利的成長環境，並保持（chí）增長態勢。”、